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炭化ケイ素(SiC)とは

炭化ケイ素(Silicon Carbide)とは非酸化物セラミックスの一種で、炭素(C)とケイ素(Si)が1対1で結合したもので、化学式はSiCで表されます。

1891年アメリカでEdward G.Achesonがダイヤモンドを合成しようとした際に偶然発見したものといわれています。炭化ケイ素(SiC)は有益な特性を数多く持っており、その特性を生かして耐火材や研磨・研削材として利用されてきましたが、近年ファインセラミックス、エンジニアリングセラミックスや半導体の材料として注目されています。

炭化ケイ素(SiC)の製造方法

炭化ケイ素(SiC)の生成式は一般に次の反応で示されます。

SiO2 + 3C = SiC + 2CO

炭素原料(C)とケイ素原料(Si)を混合したものを電気炉(アチソン炉)に詰め、直接通電してインゴットを製造する方法があります。